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實(shí)驗(yàn)室硅酸根分析儀 型號:XN84GXF-215C

實(shí)驗(yàn)室硅酸根分析儀 型號:XN84GXF-215C

簡要描述:
實(shí)驗(yàn)室硅酸根分析儀 型號:XN84GXF-215C

技術(shù)參數(shù)
測量范圍 0~199.9μg/LSiO2
基本誤差≤±2.5%FS
重復(fù)性誤差≤±0.5%FS
短期漂|移(30分鐘) : ≤±0.5%FS

產(chǎn)品時(shí)間:2024-08-29

訪問量:818

廠商性質(zhì):生產(chǎn)廠家

生產(chǎn)地址:

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實(shí)驗(yàn)室硅酸根分析儀 型號:XN84GXF-215C

技術(shù)參數(shù)
測量范圍 0~199.9μg/LSiO2
基本誤差≤±2.5%FS
重復(fù)性誤差≤±0.5%FS
短期漂|移(30分鐘) : ≤±0.5%FS
長|期|漂|移(24小時(shí)) : ≤±2.5%FS
化學(xué)方法 :硅鉬蘭光度法GB 12150—89


實(shí)驗(yàn)室硅酸根分析儀 型號:XN84GXF-215C

技術(shù)參數(shù)
測量范圍 0~199.9μg/LSiO2
基本誤差≤±2.5%FS
重復(fù)性誤差≤±0.5%FS
短期漂|移(30分鐘) : ≤±0.5%FS
長|期|漂|移(24小時(shí)) : ≤±2.5%FS
化學(xué)方法 :硅鉬蘭光度法GB 12150—89


實(shí)驗(yàn)室硅酸根分析儀 型號:XN84GXF-215C

技術(shù)參數(shù)
測量范圍 0~199.9μg/LSiO2
基本誤差≤±2.5%FS
重復(fù)性誤差≤±0.5%FS
短期漂|移(30分鐘) : ≤±0.5%FS
長|期|漂|移(24小時(shí)) : ≤±2.5%FS
化學(xué)方法 :硅鉬蘭光度法GB 12150—89


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